بررسی اثر باز پخت بر روی خواص الکتریکی و نوری لایه‌های نازک شفاف رسانای ساخته شده از نانولوله‌های کربنی- نانو سیم نقره

Authors

  • فربد, منصور گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز
Abstract:

Transparent and conductive thin films of multi-walled carbon nanotube/ Ag nanowires were fabricated using spin coating technique. In order to improve the electrical conductivity and the optical properties, the layers were annealed from room temperature to 350 °C for 30 minutes. The measurements revealed that annealing caused electrical conductivity of fabricated thin layes to be improved. The optimum annealing temperature for improving these properties was deduced 285 °C. For all different film thicknesses from about 89 to 183 nm it was observed that the presence of nanowires has improved the film’s electrical conductivity in all tempretures. The best ratio of DC conductivity to optical conductivity of the films, which is accounted as films figure of merit, was measured at 285 °C for all Ag percentages. Sheet resistance and optical transmittance were measured by four-point probe technique and UV-Vis spectrophotometer, respectively

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

بررسی اثر باز پخت بر روی خواص الکتریکی و نوری لایه های نازک شفاف رسانای ساخته شده از نانولوله های کربنی- نانو سیم نقره

لایه های نازک شفاف رسانا از نانولوله های کربنی چند جداره/ نانوسیم نقره با استفاده از پوشش دهی چرخشی ساخته شدند. اثر بازپخت نمونه های ساخته شده از دمای اتاق تا دمای ºc350 به مدت 30 دقیقه به منظور بهبود خواص الکتریکی و نوری لایه ها بررسی گردید. اندازه گیری ها نشان می داد که بازپخت لایه های نازک ساخته شده در بهبود خواص لایه ها مؤثرند. دمای بازپخت بهینه برای بهبود خواص مذکور، دمای ºc285 به دست آمد....

full text

تأثیر اتمسفر فرآیند پخت روی خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سل‌ ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج XRD نشان داد که حضور اتمسفر احیا...

full text

تأثیر اتمسفر فرآیند پخت روی خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...

full text

تاثیر ضخامت و آلایش- F در بهینه‌سازی خواص الکتریکی و اپتیکی لایه‌های نازک رسانای شفاف FTO(SnO2:F)

  در این پژوهش لایه‌های نازک رسانا و شفاف FTO را به روش اسپری بر روی زیرلایه‌های شیشه لایه نشانی کرده‌ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه‌ها) و نسبت آلایش F را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه‌ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر SEM مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف‌سنج Optics Ocean و مقاومت سطحی لایه‌ها بر حسب حجم محلول (ضخامت ل...

full text

اثر دمای پخت بر خواص مکانیکی و الکتروشیمیایی پوشش‌های آلومینایی اعمال شده بر روی فولاد کربنی

در این تحقیق پوشش سل ژل آلومینا به روش غوطه‬وری روی فولاد St44 اعمال شد، که پس از خشک شدن در دماهای 300 ، 400 و С˚500 پخت شدند. آنالیز فازی و ریزساختار، مقاومت به خوردگی، استحکام چسبندگی و مقاومت به سایش نمونه‌های پوشش‌داده شده به ترتیب توسط XRD، SEM، آزمون‌های الکتروشیمیایی در محلول 5/3 درصد وزنی کلرید سدیم، آزمون چسبندگی و دستگاه آزمون سایش بررسی شدند. نتایج XRD نشان می‌دهد که ساختار پوشش در ...

full text

لایه‌نشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 16  issue 4

pages  319- 326

publication date 2017-02

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Keywords

No Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023